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    一文了解離子研磨儀制備掃描電鏡(SEM)樣品的詳細(xì)流程與原理

     更新時(shí)間:2025-01-06 點(diǎn)擊量:392

    離子研磨儀制備掃描電鏡(SEM)樣品的詳細(xì)流程與原理

    離子研磨是一種高精度的樣品表面制備技術(shù),廣泛用于需要高分辨率顯微觀察的樣品制備,特別是那些容易受機(jī)械應(yīng)力影響的材料,如半導(dǎo)體、陶瓷、復(fù)合材料等。以下將詳細(xì)闡述離子研磨樣品制備的原理、流程、參數(shù)設(shè)置以及實(shí)際案例。

    一文了解離子研磨儀制備掃描電鏡(SEM)樣品的詳細(xì)流程與原理


    ??1.離子研磨的基本原理

    離子研磨是通過(guò)惰性氣體離子束(通常是氬離子Ar?)轟擊樣品表面,將樣品表面的微小層逐漸去除,從而獲得無(wú)應(yīng)力變形、無(wú)機(jī)械損傷且高度平整的表面。

    1.1 離子研磨的核心部件


    • 離子源:通過(guò)電場(chǎng)加速氬離子(Ar?),形成高能量離子束。

    • 樣品臺(tái):可進(jìn)行多角度調(diào)節(jié),控制離子束轟擊樣品的角度。

    • 真空腔體:保持高真空環(huán)境,減少離子散射。

    • 冷卻系統(tǒng):部分系統(tǒng)配備冷卻功能,防止樣品在研磨過(guò)程中過(guò)熱。

    1.2 研磨角度分類

    • 高角度研磨(>10°):快速去除較厚的材料,常用于初步研磨階段。

    • 低角度研磨(<10°):精細(xì)拋光,減少表面粗糙度,常用于最終研磨階段。

    • 雙離子束研磨:同時(shí)從不同方向轟擊樣品,改善研磨效率和表面質(zhì)量。

    1.3 離子研磨示意圖


    一文了解離子研磨儀制備掃描電鏡(SEM)樣品的詳細(xì)流程與原理

    一文了解離子研磨儀制備掃描電鏡(SEM)樣品的詳細(xì)流程與原理



    ???2.離子研磨儀制備掃描電鏡樣品的詳細(xì)步驟

    2.1 機(jī)械預(yù)處理

    • 目的:去除大塊材料,縮短離子研磨時(shí)間。

    • 工具:金剛石鋸、砂紙、金剛石拋光膏。

    • 結(jié)果:獲得初步平整的樣品表面。

    注意事項(xiàng)

    • 避免過(guò)度機(jī)械拋光引起的表面應(yīng)力和形變。

    • 對(duì)脆性材料(如陶瓷)要輕柔處理,防止裂紋擴(kuò)展。


    2.2 初步離子研磨

    • 目的:去除機(jī)械拋光殘留的形變層。

    • 參數(shù)設(shè)置不同型號(hào)參數(shù)不同,僅供參考

      • 加速電壓:3-5 kV

      • 離子束角度:10°-15°

      • 時(shí)間:30-60分鐘

    過(guò)程

    • 將樣品安裝在樣品臺(tái)上,固定牢固。

    • 設(shè)置離子束角度,進(jìn)行高角度研磨。

    • 研磨后檢查樣品表面,確保主要形變層已去除。


    2.3 精細(xì)離子研磨

    • 目的:消除研磨過(guò)程中的微觀缺陷,獲得高平整度表面。

    • 參數(shù)設(shè)置不同型號(hào)參數(shù)不同,僅供參考

      • 加速電壓:1-3 kV

      • 離子束角度:4°-7°

      • 時(shí)間:60-120分鐘

    過(guò)程

    • 調(diào)整離子束角度,通常采用低角度轟擊。

    • 逐漸降低離子束能量,避免表面損傷。

    • 冷卻系統(tǒng)啟動(dòng),減少熱效應(yīng)。


    2.4 截面離子研磨(可選)

    • 目的:觀察樣品的截面結(jié)構(gòu)(如多層膜、器件結(jié)構(gòu))。

    • 方法:將樣品切割后,通過(guò)離子束垂直轟擊暴露出截面。

    參數(shù)設(shè)置不同型號(hào)參數(shù)不同,僅供參考

    • 加速電壓:2-5 kV

    • 角度:90°

    • 時(shí)間:60分鐘以上


    2.5 樣品檢查

    • 工具:掃描電子顯微鏡(SEM)。

    • 目的:觀察樣品表面或截面的顯微結(jié)構(gòu)。

    • 重點(diǎn)檢查

      • 表面平整度

      • 是否有殘留機(jī)械損傷

      • 顯微結(jié)構(gòu)完整性


    ??3.影響離子研磨效果的關(guān)鍵參數(shù)

    一文了解離子研磨儀制備掃描電鏡(SEM)樣品的詳細(xì)流程與原理

    ??4.常見(jiàn)材料的研磨策略

    材料類型研磨策略應(yīng)用領(lǐng)域金屬材料低角度、低能量研磨晶粒結(jié)構(gòu)、應(yīng)力分布陶瓷材料低角度、長(zhǎng)時(shí)間研磨裂紋擴(kuò)展、顯微結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料截面離子研磨薄膜器件、界面結(jié)構(gòu)生物材料低能量、短時(shí)間研磨脆弱結(jié)構(gòu)保護(hù)


    ??5.典型研磨案例

    • 案例1:金屬材料截面觀察

      • 高分辨率顯示晶界、析出相分布。

    • 案例2:陶瓷材料表面形貌

      • 表面無(wú)裂紋、無(wú)機(jī)械損傷。


    • 案例3:半導(dǎo)體器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)

      • 清晰顯示多層薄膜界面。

        一文了解離子研磨儀制備掃描電鏡(SEM)樣品的詳細(xì)流程與原理鋁墊表面異物的 EDS 分析


    ?6. 總結(jié)

    • 離子研磨是制備高質(zhì)量SEM樣品的關(guān)鍵技術(shù)。

    • 不同材料需要針對(duì)性調(diào)整研磨參數(shù)。

    • 結(jié)合高角度和低角度研磨可有效提高表面質(zhì)量。

    • 最終通過(guò)SEM檢查確保樣品滿足分析要求。




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